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PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Vergleichen Sie
PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Gesamtnote
PNY Electronics PNY 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics PNY 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
71
Rund um 62% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
7.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.8
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
71
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
14.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
7.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2274
1799
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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