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PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
71
Por volta de 62% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.4
7.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.8
13.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
71
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
14.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
7.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
1799
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
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