RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Vergleichen Sie
PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Gesamtnote
PNY Electronics PNY 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics PNY 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
36
Rund um 25% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.3
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.9
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
16.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
13.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2274
3068
PNY Electronics PNY 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link