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PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Vergleichen Sie
PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Gesamtnote
PNY Electronics PNY 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics PNY 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
74
Rund um 64% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.4
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
74
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
15.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
8.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2274
1714
PNY Electronics PNY 2GB RAM-Vergleiche
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
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