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PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Vergleichen Sie
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Gesamtnote
PNY Electronics PNY 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics PNY 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
74
Rund um 64% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.4
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
74
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
15.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
8.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2274
1849
PNY Electronics PNY 2GB RAM-Vergleiche
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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