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PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Confronto
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Punteggio complessivo
PNY Electronics PNY 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
PNY Electronics PNY 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
74
Intorno 64% latenza inferiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.4
13.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.6
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
74
Velocità di lettura, GB/s
13.8
15.4
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
8.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2274
1849
PNY Electronics PNY 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB Confronto tra le RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
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Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
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