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PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Vergleichen Sie
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Gesamtnote
PNY Electronics PNY 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics PNY 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
75
Rund um 64% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
7.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.5
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
75
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
14.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
7.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2274
1735
PNY Electronics PNY 2GB RAM-Vergleiche
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G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB RAM-Vergleiche
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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