RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Confronto
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Punteggio complessivo
PNY Electronics PNY 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
PNY Electronics PNY 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
75
Intorno 64% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.4
7.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.5
13.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
75
Velocità di lettura, GB/s
13.8
14.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
7.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2274
1735
PNY Electronics PNY 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link