RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Confronto
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
43
Intorno -39% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.3
10.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.4
6.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
31
Velocità di lettura, GB/s
10.7
17.3
Velocità di scrittura, GB/s
6.8
13.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1314
2762
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB Confronto tra le RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link