RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Comparez
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Note globale
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Note globale
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
43
Autour de -39% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.3
10.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.4
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
31
Vitesse de lecture, GB/s
10.7
17.3
Vitesse d'écriture, GB/s
6.8
13.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1314
2762
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB Comparaison des RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link