RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
43
Wokół strony -39% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
10.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
31
Prędkość odczytu, GB/s
10.7
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1314
2762
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB Porównanie pamięci RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link