RAM-Vergleich PNY Electronics PNY 2GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

PNY Electronics PNY 2GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

Gesamtnote

PNY Electronics PNY 2GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics PNY 2GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

27 52

Rund um 48% geringere Latenzzeit

Gründe für die Berücksichtigung
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

20.5 13.8

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

10.1 8.4

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

17000 10600

Rund um 1.6 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

PNY Electronics PNY 2GB

Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2274 2472

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns