RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Vergleichen Sie
PNY Electronics PNY 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Gesamtnote
PNY Electronics PNY 2GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics PNY 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
33
Rund um 18% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
11.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
8.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
11.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
8.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2274
2227
PNY Electronics PNY 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB RAM-Vergleiche
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link