RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Confronto
PNY Electronics PNY 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Punteggio complessivo
PNY Electronics PNY 2GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
PNY Electronics PNY 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
33
Intorno 18% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.8
11.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.4
8.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
33
Velocità di lettura, GB/s
13.8
11.6
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
8.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2274
2227
PNY Electronics PNY 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB Confronto tra le RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link