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PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Vergleichen Sie
PNY Electronics PNY 2GB vs Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Gesamtnote
PNY Electronics PNY 2GB
Gesamtnote
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics PNY 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
66
Rund um 59% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.9
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
66
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
15.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
8.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2274
1953
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
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