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PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
66
左右 59% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.4
8.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.9
13.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
66
读取速度,GB/s
13.8
15.9
写入速度,GB/s
8.4
8.1
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
1953
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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