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PNY Electronics PNY 2GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Vergleichen Sie
PNY Electronics PNY 2GB vs Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Gesamtnote
PNY Electronics PNY 2GB
Gesamtnote
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics PNY 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
30
Rund um 10% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.3
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.2
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
16.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
12.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2274
3052
PNY Electronics PNY 2GB RAM-Vergleiche
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G4M1 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Team Group Inc. 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
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