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PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Vergleichen Sie
PNY Electronics PNY 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Gesamtnote
PNY Electronics PNY 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics PNY 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
35
Rund um 23% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.4
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
15.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
10.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2274
2672
PNY Electronics PNY 2GB RAM-Vergleiche
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
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