RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
35
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
35
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
2672
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD AE34G1601U1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link