RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
35
Wokół strony 31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
10.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
35
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2672
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link