RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Средняя оценка
star star star star star
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    24 left arrow 35
    Около 31% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    16 left arrow 15
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    12.5 left arrow 10.4
    Среднее значение в тестах
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Сообщить об ошибке

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    24 left arrow 35
  • Скорость чтения, Гб/сек
    16.0 left arrow 15.0
  • Скорость записи, Гб/сек
    12.5 left arrow 10.4
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    19200 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • Тайминги / частота
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2925 left arrow 2672

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM

Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
модули RAM
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
модули RAM
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
модули RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
модули RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
модули RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
модули RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
модули RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
модули RAM
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
модули RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
модули RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 2OZ 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 2OZ 4GB
модули RAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
модули RAM