RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
20
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
17.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
104
Около -333% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
24
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
20.0
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
17.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
3911
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link