RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.8
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.6
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
24
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3690
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link