RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.8
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
24
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
18.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3690
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link