RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,784.6
13.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
65
Wokół strony -141% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
27
Prędkość odczytu, GB/s
4,806.8
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,784.6
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
932
3299
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link