RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Comparar
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,784.6
13.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
65
Por volta de -141% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
27
Velocidade de leitura, GB/s
4,806.8
17.8
Velocidade de escrita, GB/s
2,784.6
13.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
932
3299
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link