RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Vergleichen Sie
PNY Electronics PNY 2GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Gesamtnote
PNY Electronics PNY 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics PNY 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
38
Rund um 29% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
6.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
8.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
6.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2274
2206
PNY Electronics PNY 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Wilk Elektronik S.A. GR1600D364L11/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Unigen Corporation U51U7200N8DD-BDH 4GB
Unigen Corporation U51U7200N8DD-BDH 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link