RAM-Vergleich PNY Electronics PNY 2GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB

PNY Electronics PNY 2GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB

Gesamtnote

PNY Electronics PNY 2GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics PNY 2GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

27 31

Rund um 13% geringere Latenzzeit

Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

16.6 13.8

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

12.5 8.4

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

21300 10600

Rund um 2.01 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

PNY Electronics PNY 2GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2274 2605

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns