Confronto tra le RAM PNY Electronics PNY 2GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB

PNY Electronics PNY 2GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB

Punteggio complessivo

PNY Electronics PNY 2GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
PNY Electronics PNY 2GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

27 31

Intorno 13% latenza inferiore

Motivi da considerare
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB

Velocità di lettura più elevata, GB/s

16.6 13.8

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

12.5 8.4

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

21300 10600

Intorno 2.01 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

PNY Electronics PNY 2GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

2274 2605

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns