RAM-Vergleich PNY Electronics PNY 2GB vs Micron Technology AFSD416ES1P 16GB

PNY Electronics PNY 2GB vs Micron Technology AFSD416ES1P 16GB

Gesamtnote

PNY Electronics PNY 2GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics PNY 2GB

Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

25 27

Rund um -8% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

14.5 13.8

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

10.7 8.4

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

19200 10600

Rund um 1.81 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

PNY Electronics PNY 2GB

Micron Technology AFSD416ES1P 16GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2274 2620

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns