RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
27
Около -8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.5
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.7
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
25
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
14.5
Скорость записи, Гб/сек
8.4
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
2620
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
AMD R948G2806U2S 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link