RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Vergleichen Sie
PNY Electronics PNY 2GB vs Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Gesamtnote
PNY Electronics PNY 2GB
Gesamtnote
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics PNY 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
13.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.7
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
PNY Electronics PNY 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
13.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
8.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2274
2193
PNY Electronics PNY 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Kingston 99P5474-013.A00LF 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link