PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB

PNY Electronics PNY 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB

Gesamtnote
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PNY Electronics PNY 2GB

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Gesamtnote
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Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB

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Unterschiede

PNY Electronics PNY 2GB Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics PNY 2GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    27 left arrow 31
    Rund um 13% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    16.3 left arrow 13.8
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    12.8 left arrow 8.4
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    17000 left arrow 10600
    Rund um 1.6 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    27 left arrow 31
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    13.8 left arrow 16.3
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.4 left arrow 12.8
  • Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • Beschreibung
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2274 left arrow 3084
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RAM 1
RAM 2

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