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PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Vergleichen Sie
PNY Electronics PNY 2GB vs SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Gesamtnote
PNY Electronics PNY 2GB
Gesamtnote
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics PNY 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
36
Rund um 25% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.5
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.1
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
16.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
14.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2274
3414
PNY Electronics PNY 2GB RAM-Vergleiche
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Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
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Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
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