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PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
総合得点
PNY Electronics PNY 2GB
総合得点
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
PNY Electronics PNY 2GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
36
周辺 25% 低遅延
考慮すべき理由
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
16.5
13.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
14.1
8.4
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
10600
周辺 2.42 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
27
36
読み出し速度、GB/s
13.8
16.5
書き込み速度、GB/秒
8.4
14.1
メモリ帯域幅、mbps
10600
25600
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2274
3414
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
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Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Kingston 9905471-074.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
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