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PNY Electronics PNY 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Vergleichen Sie
PNY Electronics PNY 2GB vs V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Gesamtnote
PNY Electronics PNY 2GB
Gesamtnote
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics PNY 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
92
Rund um 71% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.1
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
PNY Electronics PNY 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
92
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
15.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
8.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2274
1640
PNY Electronics PNY 2GB RAM-Vergleiche
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
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Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
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