RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gesamtnote
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
7.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
21
45
Rund um -114% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.2
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
21
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
7.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1992
2337
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link