RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Vergleichen Sie
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Gesamtnote
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
46
62
Rund um 26% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
5
18
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
1,852.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
62
Lesegeschwindigkeit, GB/s
5,535.6
18.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,852.4
9.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
858
2018
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link