RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,256.8
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
64
Rund um -106% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
64
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,651.3
16.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,256.8
13.2
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
837
3300
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link