RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,256.8
13.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
64
Wokół strony -106% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
31
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
3300
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link