RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Vergleichen Sie
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Gesamtnote
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Gesamtnote
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
14.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
38
Rund um -6% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.6
10.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
14.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.0
10.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2753
2490
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link