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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
比较
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
总分
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
总分
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.7
14.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
38
左右 -6% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.6
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
36
读取速度,GB/s
16.7
14.4
写入速度,GB/s
10.0
10.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2753
2490
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB RAM的比较
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
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