RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Vergleichen Sie
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Gesamtnote
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Gesamtnote
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
49
Rund um 22% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
10.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.0
8.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
49
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
10.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.0
8.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2753
2413
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link