RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Vergleichen Sie
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Gesamtnote
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
20
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
19
79
Rund um -316% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.0
1,468.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
79
19
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,061.8
20.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,468.1
15.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
422
3383
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 8HTF12864HDY-800G1 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9N1 16GB
Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9E1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link