RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Vergleichen Sie
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Gesamtnote
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
79
Rund um -229% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.3
1,468.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
79
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,061.8
12.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,468.1
6.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
422
2256
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 8HTF12864HDY-800G1 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link