RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Vergleichen Sie
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB vs Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Gesamtnote
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Gesamtnote
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
79
Rund um -147% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.9
1,468.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
79
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,061.8
15.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,468.1
9.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
422
2524
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 8HTF12864HDY-800G1 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link