RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Qimonda 64T128021EDL3SB2 1GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Vergleichen Sie
Qimonda 64T128021EDL3SB2 1GB vs Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Gesamtnote
Qimonda 64T128021EDL3SB2 1GB
Gesamtnote
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Qimonda 64T128021EDL3SB2 1GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
68
Rund um -106% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.6
2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
1,409.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Qimonda 64T128021EDL3SB2 1GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
68
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,920.8
9.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,409.7
8.6
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
446
2286
Qimonda 64T128021EDL3SB2 1GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HYMP125S64CP8-Y5 2GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Qimonda 64T128021EDL3SB2 1GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link