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Qimonda 64T128021EDL3SB2 1GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Compara
Qimonda 64T128021EDL3SB2 1GB vs Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Puntuación global
Qimonda 64T128021EDL3SB2 1GB
Puntuación global
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Qimonda 64T128021EDL3SB2 1GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
68
En -106% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
9.6
2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.6
1,409.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Qimonda 64T128021EDL3SB2 1GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
68
33
Velocidad de lectura, GB/s
2,920.8
9.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,409.7
8.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
446
2286
Qimonda 64T128021EDL3SB2 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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