RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Vergleichen Sie
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Gesamtnote
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,069.2
13.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
106
Rund um -203% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
106
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,273.7
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,069.2
13.7
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
734
3306
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB RAM-Vergleiche
Qimonda 72T128401EFA3SC2 512MB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link