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Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Vergleichen Sie
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Gesamtnote
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
17.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,069.2
14.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
106
Rund um -308% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
106
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,273.7
17.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,069.2
14.0
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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